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TRF1222IRTMT

更新时间: 2024-02-15 23:19:23
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德州仪器 - TI 射频和微波射频上变频器射频下变频器微波上变频器微波下变频器
页数 文件大小 规格书
12页 452K
描述
3.5-GHz Integrated Up-Converter

TRF1222IRTMT 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:5 X 5 MM, GREEN, LEADLESS, PLASTIC, MO-220, QFN, LCC-32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.8Is Samacsys:N
其他特性:TTL COMPATIBLE特性阻抗:50 Ω
构造:COMPONENT输入功率最小值(CW):10 dBm
JESD-609代码:e3LO 可调谐:NO
安装特点:SURFACE MOUNT端子数量:32
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:LCC32,.2SQ,20
电源:5 VRF输出最大频率:3800 MHz
RF输出频率-最小值:3300 MHz射频/微波设备类型:UP CONVERTER
子类别:RF/Microwave Up/Down Converters最大压摆率:200 mA
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
上转换增益-最小值:22 dBBase Number Matches:1

TRF1222IRTMT 数据手册

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TRF1222  
www.ti.com  
SLWS171AAPRIL 2005REVISED DECEMBER 2005  
VDD  
0.01 mF  
BPF  
Z = 50 W  
100pF  
100pF  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
BASE  
1
2
3
4
5
6
7
24  
23  
IADJ  
VDD2  
GND  
MXRADJ  
UCEN  
MXRO  
GND  
(A)  
0
UCEN  
100pF  
0.01 mF  
22  
21  
20  
19  
UCATTN  
UCATTN  
RF OUT  
1000pF  
1000pF  
IF IN N  
IF IN P  
IFIN  
GND  
RFO  
IFIP  
(B)  
33 nH  
VDD  
18  
17  
LOADJ1  
VNEG  
VDDIFP  
VDDIFN  
(B)  
33 nH  
8
0.01 mF  
100pF  
100pF  
0.01 mF  
9
10 11  
12 13 14  
15 16  
1 mF  
LO IN P  
LO IN N  
−VNEG  
0.01 mF  
100pF  
Place 100pF capacitors as close as possible to package pins.  
A. Connect pin 24 to ground through a 0-resistor.  
B. Place 33-nH inductors close to package pins.  
C. Place 100-pF capacitors close as possible to package pins.  
Figure 3. Recommended Application Schematic  
7

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