TPV596A

更新时间： 2025-08-19 08:37:31

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ASI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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TPV596A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.7 A	基于收集器的最大容量：	5 pF
集电极-发射极最大电压：	24 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRPM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	8.8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPV596A 数据手册

TPV596A

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI TPV596A is designed for

MATV amplifiers up to 860 MHz and

500 mW band V TV transposer

stages.

PACKAGE STYLE .280 4L STUD

FEATURES:

45°

• Difused emiter ballast resistors

• P_G= 12 dB at 0.5 W/ 860 MHz

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

0.7 A

45 V

I_C

#8-32 UNC

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

24 V

1.010 / 25.65

.220 / 5.59

.270 / 6.86

.003 / 0.08

.117 / 2.97

1.055 / 26.80

.230 /5.84

.285 / 7.24

.007 / 0.18

.137 / 3.48

3.5 V

8.75 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

20 °C/W

.572 / 14.53

.130 / 3.30

.245 / 6.22

.255 / 6.48

.640 / 16.26

T_STG

θ_JC

.175 / 4.45

.275 / 6.99

.217 / 5.51

.285 / 7.24

CHARACTERISTICS ^T_C^{= 25}°^C

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 1.0 mA

I_C= 20 mA

I_E= 4.0 mA

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

3.5

_CB= 28 V

_CE= 5.0 V

1.0

120

5.0

---

I_C= 100 mA

h_FE

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 860 MHz

C_OB

V_CE= 20 V

I_E= 220 mA

P_IN= 50 mW

11.5

P_G

P_OUT= 0.5 W

-58

IMD₁

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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