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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> TPV597
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TPV597

更新时间： 2024-01-16 09:58:18
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 99K
描述
UHF LINEAR POWER TRANSISTOR

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TPV597 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.0014 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：15
最高工作温度：200 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：19 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO标称过渡频率 (fT)：2200 MHz
Base Number Matches：1

TPV597 数据手册

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by TPV597/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
. . . designed for 1.0 watt stages in Band V TV transposer amplifiers. Gold  
metallized dice and diffused emitter ballast resistors are used to enhance  
reliability, ruggedness and linearity.  
•
•
•
•
•
Band IV and V (470–860 MHz)  
1.0 W — P @ –58 dB IMD  
ref  
20 V — V  
CC  
High Gain — 11 dB Typ, Class A @ f = 860 MHz  
1.0 W, 470–860 MHz  
UHF LINEAR  
POWER TRANSISTOR  
Gold Metallization for Reliability  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
24  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
45  
3.5  
1.4  
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
19  
0.11  
Watts  
W/°C  
C
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
T
200  
°C  
°C  
J
CASE 244–04, STYLE 1  
(.280 SOE)  
T
stg  
–65 to +200  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
9.0  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 40 mA, I = 0)  
V
V
V
24  
45  
3.5  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mA  
C
B
(BR)CEO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 2.0 mA, I = 0)  
C
E
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 4.0 mA, I = 0)  
—
E
C
Emitter–Base Leakage Current (V  
= 2.0 V)  
I
0.5  
—
EB  
EBO  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 40 mA, R  
BE  
= 10 Ω)  
V
50  
—
Vdc  
mAdc  
C
(BR)CER  
Collector Cutoff Current (V  
CB  
= 30 V, I = 0)  
I
1.2  
E
CBO  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (I = 200 mA, V  
CE  
= 5.0 V)  
h
15  
—
—
—
11  
120  
7.0  
—
—
pF  
dB  
C
FE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Output Capacitance (V  
CB  
= 28 V, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
ob  
E
FUNCTIONAL TESTS  
Common–Emitter Amplifier Power Gain  
G
10.5  
PE  
(V  
CE  
= 20 V, P  
= 1.0 W, f = 860 MHz, I = 0.44 A)  
E
out  
Load Mismatch  
(V = 20 V, P  
Load VSWR = ∞:1, All Phase Angles)  
ψ
= 2.0 W, I = 0.44 A, f = 860 MHz,  
No Degradation in Output Power  
CE  
out  
E
(continued)  
Motorola, Inc. 1994  
1234

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