TPSMB20A

更新时间： 2024-01-13 06:16:43

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威世 - VISHAY		瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
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SURFACE MOUNT AUTOMOTIVE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

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TPSMB20A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-J2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.71	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压：	24.5 V	最小击穿电压：	22.2 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-J2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	5 W
参考标准：	AEC-Q101; IEC-61000-4-2, 4-4	最大重复峰值反向电压：	20 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	J BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

TPSMB20A 数据手册

TPSMB6.8 THRU TPSMB43A

SURFACE MOUNT AUTOMOTIVE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

Breakdown Voltage - 6.8 - 43 Volts

Peak Pulse Power - 600 Watts

FEATURES

♦ Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

DO-214AA

Modified J-Bend

♦ Easy pick and place

♦ Low profile package

♦ Built-in strain relief ideal for automated placement

♦ Exclusive patented PAR™ oxide passivated

chip construction

0.086 (2.20)

0.077 (1.95)

0.155 (3.94)

0.130 (3.30)

♦ 600W peak pulse power capability with a 10/1000µs

waveform, repetition rate (duty cycle): 0.01%

♦ Excellent clamping capability

♦ Low incremental surge resistance

♦ Fast response time: typically less than

0.180 (4.57)

0.160 (4.06)

0.012 (0.305)

0.006 (0.152)

1.0ps from 0 Volts to V

(BR)

♦ For devices with V ≥10V I is typically less than 2.0µA

(BR) D

at T =150°C

♦ Designed for under the hood surface mount

applications

0.096 (2.44)

0.084 (2.13)

♦ High temperature soldering:

250°C/10 seconds at terminals

0.008 (0.203)

MAX.

0.060 (1.52)

0.030 (0.76)

0.220 (5.59)

0.205 (5.21)

MECHANICAL DATA

Case: JEDEC DO-214AA molded plastic body over

passivated junction

Dimensions in inches and (millimeters)

Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Polarity: Color band denotes positive end (cathode)

Mounting Position: Any

Available in uni-directional only

Weight: 0.003 ounces, 0.093 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

SYMBOLS

VALUE

UNITS

Peak pulse power dissipation with a 10/1000µs

waveform _{(NOTES 1,2, FIG. 1)}

P_PPM

Minimum 600

Watts

Peak pulse current with a 10/1000µs

waveform _{(NOTE 1, FIG. 3)}

I_PPM

Amps

SEE TABLE 1

Peak forward surge current

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method) _{(NOTES 2, 3)}

I_FSM

70.0

Instantaneous forward voltage at 50A _{(NOTE 3)}

Operating junction and storage temperature range

V_F

3.5

Volts

°C

T_J, T_STG

-65 to +185

NOTES:

(1) Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T_A=25°C per Fig. 2

(2) Mounted on 0.2 x 0.2” (5.0 x 5.0mm) land areas per figure

(3) Mounted on 8.3ms single half sine-wave duty cycle=4 pulses per minute maximum

1/21/99

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TPSMB20A/2	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 17.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
TPSMB20A/5	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 17.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
TPSMB20A-HE3/5	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMB, 2 PIN, Transient
TPSMB20AHE3/52T	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 17.1V 27.7V DO214AA
TPSMB20A-HE3/52T	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2
TPSMB20AHE3/5BT	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 17.1V 27.7V DO214AA
TPSMB20A-HE3/5BT	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2
TPSMB20AHE3_A/H	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 17.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
TPSMB20AHE3_A/I	VISHAY	获取价格	暂无描述
TPSMB20A-VR	LITTELFUSE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 20V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2

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