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TPS51623

更新时间： 2024-11-03 11:13:35

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德州仪器 - TI		控制器
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适用于 VR12.1 VCPU 的两相 D-CAP+™ 降压控制器

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TPS51623 数据手册

TPS51623

ZHCSQF4 – JUNE 2022

TPS51623 适用于 VR12.1 V_CPU的两相 D-CAP+^™降压控制器

1 特性

3 说明

•

符合 VR12.1 串行 VID (SVID) 标准

TPS51623 器件是一款无驱动器、完全符合 SVID 标

准的 VR12.1 降压控制器。高级控制特性（例如 D-

CAP+ 架构）借助重叠脉冲支持下冲衰减 (USR) 和过

冲衰减 (OSR)，可提供快速瞬态响应、最低输出电容

和高效率。TPS51623 器件还支持在 CCM 或 DCM

运行情况下进行单相运行，从而提高轻负载情况下的效

率。TPS51623 器件集成了完整的 VR12.1 I/O 功能，

包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。

SVID 接口地址允许在 0 到 7 的时间范围内进行编程。

当器件在 PS4 模式下运行时，控制器的静态功耗通常

为 0.25mW。V_OUT压摆率和电压定位的可调节控制完

善了 VR12.1 功能。

单相或两相运行

仅支持零负载线路应用

8 位 DAC 输出范围：0.25 V 至 1.52 V

优化了轻负载和重负载条件下的效率

8 级独立的过冲衰减 (OSR) 和下冲衰减 (USR)

无驱动器配置，有助于实现高效的高频开关

支持分立式、电源块、功率级或 DrMOS MOSFET

实施

•

精确可调电压定位

300kHz 至 1MHz 的频率选择

获得专利的 AutoBalance 相位平衡

可选 8 级电流限制

与 TPS51604 FET 栅极驱动器配合使用时，该解决方

案可提供超高速度和低开关损耗。TPS51623 器件与选

定的 TI 功率级产品以及 DrMOS 产品一起使用，可实

现出色效率。TPS51623 器件以 1V 的默认启动电压运

行。通过在设计中添加一个外部电阻分压器，应用可以

覆盖默认启动电压。

4.5V 至 28V 转换电压范围

小型 4mm × 4mm 32 引脚 VQFN PowerPAD^™

集

成电路封装

2 应用

•

适配器

电池

TPS51623 器件采用节省空间的热增强型 32 引脚

VQFN 封装，可在 –40°C 到 105°C 温度下运行。

NVDC

5V 至 12V 电源轨

表 3-1. 器件信息⁽¹⁾

器件型号

封装

封装尺寸（标称值）

TPS51623

VQFN (32)

4.00mm × 4.00mm

(1) 要了解所有可用封装，请参阅文档末尾的可订购产品附录。

TPS51623

Power

TPS51604

Drive

Block

PWM1

PWM2

SVID BUS

Power

Block

SKIP

TPS51604

Drive

图 3-1. 简化版原理图

本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLUSEW6

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