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TPS28225D

更新时间： 2024-02-02 20:30:55
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 驱动器
页数 文件大小 规格书
30页 988K
描述
4-A, 27-V half bridge gate driver with 4-V UVLO for synchronous rectification 8-SOIC -40 to 125

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TPS28225D 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.37
Is Samacsys：N高边驱动器：YES
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4长度：4.89 mm
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE电源：7.2 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：8 V
最小供电电压：4.5 V标称供电电压：7.2 V
表面贴装：YES温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

TPS28225D 数据手册

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TPS28225  
www.ti.com  
SLUS710–MAY 2006  
TYPICAL APPLICATIONS (continued)  
Multi-Phase Synchronous Buck Converter  
V
DD  
(4.5 V to 8 V)  
V
IN  
(3 V to 32 V − V  
)
DD  
6
VDD  
BOOT  
2
TPS28225  
1
8
UGATE  
3
7
PHASE  
PWM  
EN/PG  
5
4
LGATE  
GND  
CS 1  
To Controller  
PWM1  
PWM2  
VIN  
To Driver  
To Driver  
PWM3  
PWM 4  
6
VDD  
BOOT  
2
To Controller  
CS 4 CSCN  
TPS28225  
1
8
UGATE  
PHASE  
GND  
VOUT  
GNDS  
3
7
PWM  
V
OUT  
/PG  
EN  
Enable  
5
4
LGATE  
GND  
ORDERING INFORMATION(1)(2)(3)  
TEMPERATURE RANGE, TA = TJ  
PACKAGE  
TAPE AND REEL QTY.  
PART NUMBER  
TPS28225DT  
Plastic 8-pin SOIC (D)  
Plastic 8-pin SOIC (D)  
Plastic 8-pin DFN (DRB)  
Plastic 8-pin DFN (DRB)  
250  
2500  
250  
TPS28225DR  
-40°C to 125°C  
TPS28225DRBT  
TPS28225DRBR  
3000  
(1) SOIC-8 (D) and DFN-8 (DRB) packages are available taped and reeled. Add T suffix to device type (e.g. TPS28225DT) to order taped  
devices and suffix R to device type to order reeled devices.  
(2) The SOIC-8 (D) and DFN-8 (DRB) package uses in Pb-Free lead finish of Pd-Ni-Au which is compatible with MSL level 1 at 255°C to  
260°C peak reflow temperature to be compatible with either lead free or Sn/Pb soldering operations.  
(3) In the DFN package, the pad underneath the center of the device is a thermal substrate. The PCB “thermal land” design for this  
exposed die pad should include thermal vias that drop down and connect to one or more buried copper plane(s). This combination of  
vias for vertical heat escape and buried planes for heat spreading allows the DFN to achieve its full thermal potential. This pad should  
be either grounded for best noise immunity, and it should not be connected to other nodes.  
4
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TPS28225D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		High-Frequency 4-A Sink Synchronous MOSFET Drivers
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 		High-Frequency 4-A Sink Synchronous MOSFET Drivers
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 		具有 4V UVLO、用于同步整流的汽车类 4A、27V 半桥栅极驱动器 | D | 8

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