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TPS22969DNYR

更新时间: 2024-11-15 11:14:51
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德州仪器 - TI 开关驱动光电二极管接口集成电路驱动器
页数 文件大小 规格书
30页 1955K
描述
具有输出放电功能的 5.5V、6A、4.4mΩ 负载开关 | DNY | 8 | -40 to 85

TPS22969DNYR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:HVSON,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:1.63内置保护:TRANSIENT
驱动器位数:1接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码:S-PDSO-N8JESD-609代码:e4
长度:3 mm湿度敏感等级:2
功能数量:1端子数量:8
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
输出电流流向:SOURCE AND SINK最大输出电流:6 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:HVSON
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260座面最大高度:0.8 mm
最大供电电压:5.5 V最小供电电压:2.5 V
标称供电电压:5 V电源电压1-最大:5.5 V
电源电压1-分钟:0.8 V电源电压1-Nom:1.05 V
表面贴装:YES温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式:NO LEAD
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:3 mm
Base Number Matches:1

TPS22969DNYR 数据手册

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TPS22969  
ZHCSCB5A MARCH 2014REVISED MARCH 2014  
TPS22969 5.5V6A4.4mΩ 导通电阻负载开关  
1 特性  
3 说明  
1
集成单通道负载开关  
TPS22969 是一款小型,超低 RON,单通道负载开  
关,此开关具有受控开启功能。 此器件包含一个可在  
0.8V 5.5V 的输入电压范围内运行的 N 通道金属氧  
化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),并且支持 6A 的  
最大持续  
VBIAS 电压范围:2.5V 5.5V  
VIN 电压范围:0.8V 5.5V  
超低 RON 电阻  
VIN = 1.05V (VBIAS = 5V) 时,RON = 4.4m  
电流。  
6A 最大持续开关电流  
低静态电流(VBIAS = 5V 时为 20µA(典型值))  
低关断电流(VBIAS = 5V 时为 1µA(典型值))  
器件的超低 RON 和高电流处理能力的组合使得此器件  
非常适合于驱动具有非常严格压降耐受的处理器电源  
轨。 器件的受控上升时间大大减少了由大容量负载电  
容导致的涌入电流,从而减少或消除了电源损耗。 此  
开关可由 ON 端子单独控制,此端子能够与微控制器  
或低压离散逻辑电路生成的低压控制信号直接对接。  
通过集成一个 224Ω 下拉电阻器,在开关关闭时实现  
快速输出放电 (QOD),此器件进一步减少总体解决方  
案尺寸。  
低控制输入阀值允许使用 1.2V 或更高通用输入输  
(GPIO) 接口  
V
BIAS VIN 范围内的受控和固定转换率  
VIN = 1.05V (VBIAS = 5V) 时,tR = 599µs  
快速输出放电 (QOD)  
带有散热焊盘的小外形尺寸无引线 (SON) 8 端子封  
静电放电 (ESD) 性能经测试符合 JESD 22 规范  
TPS22969 采用小型 3mm x 3mm SON-8 封装  
2kV 人体模型 (HBM)  
(DNY)DNY 封装集成有一个散热焊盘,此散热焊盘  
可在高电流和高温应用中实现高功率耗散。 器件在自  
然通风环境下的额定运行温度范围为 -40°C 85°C。  
1kV 充电器件模型 (CDM)  
2 应用范围  
Ultrabook™/笔记本电脑  
台式个人电脑  
工业用个人电脑  
Chromebook  
服务器  
器件信息  
订货编号  
封装  
封装尺寸  
3mm x 3mm  
超薄小外形尺寸封装  
(WSON) (8)  
TPS22969DNY  
机顶盒  
电信系统  
平板电脑  
4 简化电路原理图  
RON VIN 之间的关系(此时,VBIAS = 5VIOUT = -  
200mA)  
6
5.5  
5
4.5  
4
典型应用:驱动用于处理器的高电流内核电  
源轨  
3.5  
-40ƒC  
3
25ƒC  
2.5  
85ƒC  
2
0.8 1.2 1.6  
2
2.4 2.8 3.2 3.6  
VIN (V)  
4
4.4 4.8  
DG007  
1
PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.  
English Data Sheet: SLVSCJ7  
 
 
 

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