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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> TPIC1502DWR
TPIC1502DWR PDF预览

TPIC1502DWR

更新时间： 2024-11-05 23:37:15
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
16页 331K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | SO

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TPIC1502DWR 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.81Is Samacsys：N
配置：COMPLEX最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 A
最大漏极电流 (ID)：0.005 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G24
元件数量：11端子数量：24
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.86 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPIC1502DWR 数据手册

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TPIC1502  
QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY  
SLIS054 – OCTOBER 1996  
Low r  
:
DW PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DS(on)  
0.25 Ω Typ (Full H-Bridge)  
0.4 Ω Typ (Triple Half H-Bridge)  
OUTPUT3  
SOURCE  
GND  
V
DD3  
GND  
1
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
Pulsed Current . . . 4 A Per Channel  
2
Matched Sense Transistors for Class A-B  
Linear Operation  
GATE3A  
GATE1B  
SENSE  
OUTPUT1  
GATE4A  
GATE1A  
GATE5A  
3
GATE3B  
GATE2B  
GATE2C  
OUTPUT2  
GATE4B  
GATE2A  
GATE5B  
4
5
Fast Commutation Speed  
6
description  
7
8
The TPIC1502 is a monolithic power DMOS array  
that consists of ten electrically isolated N-channel  
enhancement-mode power DMOS transistors,  
four of which are configured as a full H-bridge and  
six as a triple half H-bridge. The lower stage of the  
full H-bridge is provided with an integrated  
sense-FET to allow biasing of the bridge in class  
A-B operation.  
9
V
10  
11  
DD1  
V
OUTPUT4  
DD2  
SOURCE 12  
13 OUTPUT5  
The TPIC1502 is offered in a 24-pin wide-body surface-mount (DW) package and is characterized for operation  
over the case temperature range of –40°C to 125°C.  
schematic  
V
V
V
DD3  
24  
DD1  
DD2  
15  
11  
Q1A  
17  
Q2A  
Q3A  
22  
Q4A  
18  
Q5A  
16  
9
GATE1A  
GATE2A  
GATE3A  
GATE4A  
GATE5A  
19  
7
1
14  
13  
D3  
D1  
D2  
OUTPUT1  
OUTPUT2  
OUTPUT3  
OUTPUT4  
OUTPUT5  
Q1B  
21  
Q2B  
5
Q3B  
4
Q4B  
8
Q5B  
10  
GATE1B  
GATE2B  
GATE3B  
GATE4B  
GATE5B  
SENSE  
6
20  
2, 12  
SOURCE  
Q2C  
GATE2C  
6 V  
3, 23  
GND  
NOTES: A. Terminals 3 and 23 must be externally connected.  
B. Terminals 2 and 12 must be externally connected.  
C. No output may be taken greater than 0.5 V below GND.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
Copyright 1996, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
1234567...16

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