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TPD1008SSTL

更新时间： 2024-11-11 20:06:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网驱动信息通信管理接口集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 788K
描述
IC 8 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSFM5, 1.70 MM PITCH, PLASTIC, TO-220, SIP-5, Peripheral Driver

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TPD1008SSTL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220
包装说明：1.70 MM PITCH, PLASTIC, TO-220, SIP-5针数：5
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.67
内置保护：OVER CURRENT; THERMAL接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PSFM-T5功能数量：1
端子数量：5最高工作温度：110 °C
最低工作温度：-40 °C输出电流流向：SOURCE
标称输出峰值电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大供电电压：18 V
最小供电电压：5 V标称供电电压：12 V
表面贴装：NO技术：BICMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

TPD1008SSTL 数据手册

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TPD1008SA  
TOSHIBA Intelligent Power Device Silicon Monolithic Power MOS Integrated Circuit  
TPD1008SA  
High-side Power Switch for Motors, Solenoids, and Lamp Drivers  
The TPD1008SA is a monolithic power IC for high-side switches. The IC  
has a vertical MOS FET output which can be directly driven from a CMOS  
or TTL logic circuit (e.g., an MPU). The device offers intelligent  
self-protection and diagnostic functions.  
Features  
z
A monolithic power IC with a new structure combining a control block  
(Bi–CMOS) and a vertical power MOS FET (π–MOS) on a single chip  
z
z
z
z
One side of load can be grounded to a high-side switch.  
Can directly drive a power load from a microprocessor.  
Built–in protection against thermal shutdown and load short circuiting  
Incorporates a diagnosis function that allows diagnosis output to be  
read externally at load short-circuiting, opening, or overtemperature.  
z
Up to −10V of counter-electromotive force from an L load can be  
applied.  
z
z
z
z
Low on-resistance  
: R  
(ON) = 200mΩ (max)  
DS  
Low operating current  
: I  
= 1mA (typ.) (@V  
DD  
= 12V, V = 0V)  
IN  
DD  
5-pin TO−220 insulated package  
Three standard lead configurations  
Pin Assignment  
Weight  
SSIP5–P–1.70C : 2.1g (typ.)  
ZIP5–P–1.70L : 2.1g (typ.)  
ZIP5–P–1.70K : 2.1g (typ.)  
Note: Due to its MOS structure, this product is sensitive to static electricity.  
1
2006-10-31  
1234567...11

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与TPD1008SSTL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPD1009S TOSHIBA

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 		THOSHIBA INTELLIGENT POWER DEVICE SILICON MONOLITHIC POWER MOS INTERGRATED CIRCUIT
TPD1009SLBF TOSHIBA

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 		IC BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PZFM5, 1.70 MM PITCH, PLASTIC, TO-220, ZIP-5, Peripheral D
TPD1009SLBS TOSHIBA

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 		IC BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PZFM5, 1.70 MM PITCH, PLASTIC, TO-220, ZIP-5, Peripheral D
TPD1009SSTL TOSHIBA

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 		IC 24 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSFM5, 1.70 MM PITCH, PLASTIC, TO-220, SIP-5, Periphe
TPD100A12 ETC

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 		SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|133V V(BO) MAX|300MA I(S)|TO-220
TPD100A18 ETC

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 		SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|133V V(BO) MAX|300MA I(S)|TO-220
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