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TPD1009S

更新时间: 2024-11-11 03:26:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
10页 353K
描述
THOSHIBA INTELLIGENT POWER DEVICE SILICON MONOLITHIC POWER MOS INTERGRATED CIRCUIT

TPD1009S 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:,
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.84内置保护:OVER CURRENT; THERMAL
接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码:R-PZFM-T5
功能数量:1端子数量:5
最高工作温度:110 °C最低工作温度:-40 °C
输出电流流向:SOURCE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大供电电压:18 V最小供电电压:5 V
标称供电电压:12 V表面贴装:NO
技术:BICMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

TPD1009S 数据手册

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