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TPCA8121

更新时间: 2024-01-03 20:13:20
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
9页 235K
描述
MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

TPCA8121 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
雪崩能效等级(Eas):263 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):45 A最大漏源导通电阻:0.004 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:S-PDSO-F5
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):135 A
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

TPCA8121 数据手册

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TPCA8121  
Fig. 8.7 IDR - VDS  
Fig. 8.8 Capacitance - VDS  
Fig. 8.9 Vth - Ta  
Fig. 8.10 Dynamic Input/Output Characteristics  
Fig. 8.11 PD - Ta  
Fig. 8.12 PD - Tc  
(Guaranteed Maximum)  
(Guaranteed Maximum)  
2011-09-27  
Rev.1.0  
6

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