TP5322K1

更新时间： 2024-11-11 03:26:51

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描述
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

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TP5322K1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.32	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	220 V	最大漏极电流 (ID)：	0.12 A
最大漏源导通电阻：	12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	20 pF	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TP5322K1 数据手册

TP5322

Initial Release

P-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FET

Features

General Description

These low threshold enhancement-mode (normally-off)

transistors utilize an advanced vertical DMOS structure and

Supertex's well-proven silicon-gate manufacturing process. This

combination produces devices with the power handling

capabilities of bipolar transistors and with the high input

impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS

devices. Characteristic of all MOS structures, these devices are

free from thermal runaway and thermally-induced secondary

breakdown.

ꢀ Low threshold, -2.4V max.

ꢀ High input impedance

ꢀ Low input capacitance, 110pFmax.

ꢀ Fast switching speeds

ꢀ Low on resistance

ꢀ Free from secondary breakdown

ꢀ Low input and output leakage

ꢀ Complementary N- and P-channel devices

Supertex's vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide

range of switching and amplifying applications where very low

threshold voltage, high breakdown voltage, high input

impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are

desired.

Application

ꢀ Logic level interfaces-ideal for TTL and CMOS

ꢀ Battery operated systems

ꢀ Photo voltaic devices

Package Options

ꢀ Analog switches

ꢀ General purpose line drivers

ꢀ Telecom switches

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

Drain-to-Gate Voltage

BV_DSS

BV_DGS

±20V

Gate-to-Source Voltage

TO-243AA

(SOT-89)*

TO-236AB

(SOT-23)*

Operating and Storage Temperature

Soldering Temperature****

****Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.

-55°C to +150°C

300°C

* "Green" Certified Package

Product Marking for SOT-89

TP3C✶

Ordering Information

V_GS(th)

(max)

I_D(ON)

(min)

Order Number / Package

Where ✶=2-week alpha date code

BV_DSS

BV_DGS

R_DS(ON)

(max)

TO-243AA**

TP5322N8

TO-236AB***

TP5322K1

-220V

-2.4V

-0.7A

12Ω

Product Marking for SOT-23

P3C✶

TP5322N8-G*

TP5322K1-G*

**Same as SOT-89. Product supplied on 2000 piece carrier tape reels.

***Same as SOT-23. Products supplied on 3000 piece carrier tape reels.

Where ✶=2-week alpha date code

A042005

Rev. 3 September 14, 2004

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