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TP0702N3

更新时间: 2024-11-09 22:19:19
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超科 - SUPERTEX /
页数 文件大小 规格书
2页 78K
描述
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

TP0702N3 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.46
其他特性:LOW THRESHOLD配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.35 A
最大漏极电流 (ID):0.35 A最大漏源导通电阻:3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):60 pF
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

TP0702N3 数据手册

 浏览型号TP0702N3的Datasheet PDF文件第2页 

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