TN2540N8-G

更新时间： 2024-11-04 02:52:23

品牌	Logo	应用领域
超科 - SUPERTEX		/
页数	文件大小	规格书
7页	808K
描述
Low Threshold N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TN2540N8-G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.43
其他特性：	LOW THRESHOLD	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.26 A	最大漏极电流 (ID)：	0.57 A
最大漏源导通电阻：	12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	25 pF	JEDEC-95代码：	TO-243AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	45 ns	最大开启时间（吨）：	35 ns

TN2540N8-G 数据手册

TN2540

Low Threshold N-Channel

Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

Features

General Description

► Low threshold — 2.0V max

► High input impedance

► Low input capacitance — 125pF max

► Fast switching speeds

The Supertex TN2540 is a low threshold enhancement-

mode transistor that utilizes an advanced vertical

DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate

manufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevice

with the power handling capabilities of bipolar transistors,

and the high input impedance and positive temperature

coefﬁcient inherent in MOS devices. Characteristic of all

MOS structures, this device is free from thermal runaway

and thermally-induced secondary breakdown.

► Low ON-resistance

► Free from secondary breakdown

► Low input and output leakage

► Complementary N and P-channel devices

Applications

► Logic level interfaces — ideal for TTL and CMOS

► Solid state relays

► Battery operated systems

► Photo voltaic devices

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a

wide range of switching and amplifying applications where

very low threshold voltage, high breakdown voltage, high

input impedance, low input capacitance, and fast switching

speeds are desired.

► Analog switches

► General purpose line drivers

► Telecom switches

Switching Waveforms and Test Circuit

V_DD

10V

90%

R_L

INPUT

PULSE

GENERATOR

10%

OUTPUT

t_(ON)

t_d(ON)

t_(OFF)

t_d(OFF)

R_GEN

t_r

t_F

V_DD

D.U.T.

10%

INPUT

OUTPUT

90%

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

TN2540N8-G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TN2540N8	SUPERTEX	功能相似	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

与TN2540N8-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TN2540ND	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2540-X00G	STMICROELECTRONICS	获取价格	25A SCRs
TN2540-X00G-TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	25A SCRs
TN2540-XXXG	STMICROELECTRONICS	获取价格	25A SCRs
TN-254127-10-9	MACOM	获取价格	Label format - Old format order code cross reference
TN-254254-10-9	MACOM	获取价格	Label format - Old format order code cross reference
TN2-5V	NAIS	获取价格	SLIM POLARIZED RELAY
TN2-5V	PANASONIC	获取价格	Power/Signal Relay, DPDT, Momentary, 0.028A (Coil), 5VDC (Coil), 140mW (Coil), 1A (Contact
TN26/11-3C20-A113	FERROXCUBE	获取价格	Gapped ferrite toroids
TN26/11-3C20-A157	FERROXCUBE	获取价格	Gapped ferrite toroids

与TN2540N8-G相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

7
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TN2540N8-G

TN2540N8-G 技术参数

TN2540N8-G 数据手册

TN2540N8-G 替代型号

与TN2540N8-G相关器件

与TN2540N8-G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TN2540N8-G

TN2540N8-G 技术参数

TN2540N8-G 数据手册

TN2540N8-G 替代型号

与TN2540N8-G相关器件

与TN2540N8-G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？