是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | SOJ, SOJ20/26,.34 |
针数: | 20 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.56 | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J20 |
长度: | 17.145 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 20 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ20/26,.34 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 1024 | 座面最大高度: | 3.76 mm |
自我刷新: | NO | 最大待机电流: | 0.0003 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMS46400-70SD | TI |
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1MX4 FAST PAGE DRAM, 70ns, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20 | |
TMS46400-80DGA | TI |
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1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO20, PLASTIC, TSOP-26/20 | |
TMS46400-80DGB | TI |
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1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP-26/20 | |
TMS46400-80SD | TI |
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1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20 | |
TMS46400DGA | TI |
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1048576-WORD BY 4-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES | |
TMS46400DGA-60 | TI |
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1MX4 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO20, PLASTIC, TSOP-26/20 | |
TMS46400DJ | TI |
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1048576-WORD BY 4-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES | |
TMS46400DJ-80 | TI |
获取价格 |
1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 | |
TMS46400P | TI |
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1048576-WORD BY 4-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES | |
TMS46400P-10DGA | TI |
获取价格 |
IC 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 100 ns, PDSO20, PLASTIC, TSOP-26/20, Dynamic RAM |