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TMS44C257-15NL

更新时间: 2024-11-12 14:36:23
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 705K
描述
256KX4 STATIC COLUMN DRAM, 150ns, PDIP20

TMS44C257-15NL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:STATIC COLUMN最长访问时间:150 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDIP-T20
长度:24.325 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STATIC COLUMN DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

TMS44C257-15NL 数据手册

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