是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.48 |
最长访问时间: | 90 ns | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | 长度: | 18.415 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 8 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1-R | 封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 反向引出线: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 部门规模: | 64K |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | MOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMS29LF040-90C5DUL | TI |
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512KX8 FLASH 3V PROM, 90ns, PDSO32 | |
TMS29LF040-90C5DUL4 | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
TMS29LF040-90C5FME | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
TMS29LF040-90C5FME4 | TI |
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512KX8 FLASH 3V PROM, 90ns, PQCC32 | |
TMS29LF040-90C5FML | TI |
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512KX8 FLASH 3V PROM, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
TMS29LF040-90C5FML4 | TI |
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暂无描述 | |
TMS29LF800B-100EEB | TI |
获取价格 |
IC IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16/1MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC, Programmable ROM | |
TMS29LF800B-100ELB | TI |
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IC IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16/1MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC, Programmable ROM | |
TMS29LF800B-120EE | TI |
获取价格 |
IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16/1MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC | |
TMS29LF800B-120EL | TI |
获取价格 |
IC,EEPROM,NOR FLASH,512KX16/1MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC |