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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | WDIP, DIP28,.6 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 170 ns |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 512 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | WDIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE, WINDOW | 页面大小： | 64 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.907 mm |
| 部门规模： | 64 | 最大待机电流： | 0.003 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | NO | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMS29F256-170NL | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 170ns, PDIP28 |
|
| TMS29F256-20 | TI |
获取价格 |
262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
|
| TMS29F256-200 | TI |
获取价格 |
262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
|
| TMS29F256-200FML | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, PQCC32 |
|
| TMS29F256-200JE | TI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| TMS29F256-200JE4 | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
|
| TMS29F256-200JL | TI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| TMS29F256-200JQ | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
|
| TMS29F256-200NL | TI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| TMS29F256-20FML | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, PQCC32 |
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