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TM497GU8-60

更新时间： 2024-02-28 23:17:27
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 83K
描述
4MX8 FAST PAGE DRAM MODULE, 60ns, SMA30, SIMM-30

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TM497GU8-60 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SIMM包装说明：SIMM, SIM30
针数：30Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.71访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XSMA-N30
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：30
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：SIMM封装等效代码：SIM30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：2048座面最大高度：16.637 mm
最大待机电流：0.002 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.22 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：2.54 mm端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

TM497GU8-60 数据手册

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TM497GU8  
4194304-WORD BY 8-BIT  
DYNAMIC RAM MODULE  
SMMS498A– APRIL 1994 – REVISED JUNE 1995  
timing requirements over recommended ranges of supply voltage and operating free-air  
temperature  
’497GU8-60  
’497GU8-70  
’497GU8-80  
UNIT  
MIN  
110  
40  
MAX  
MIN  
130  
45  
MAX  
MIN  
150  
50  
MAX  
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
Cycle time, random read or write (see Note 7)  
Cycle time, page-mode read or write (see Notes 7 and 8)  
Pulse duration, RAS low, page mode  
Pulse duration, RAS low, nonpage mode  
Pulse duration, CAS low  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ms  
ns  
RC  
PC  
60 100 000  
70 100 000  
80 100 000  
RASP  
RAS  
CAS  
CP  
60  
15  
10  
40  
10  
0
10 000  
10 000  
70  
18  
10  
50  
10  
0
10 000  
10 000  
80  
20  
10  
60  
10  
0
10 000  
10 000  
Pulse duration, CAS high  
Pulse duration, RAS high (precharge)  
Pulse duration, W low  
RP  
WP  
Setup time, column address before CAS low  
Setup time, row address before RAS low  
Setup time, data before CAS low  
ASC  
ASR  
DS  
0
0
0
0
0
0
Setup time, W high before CAS low  
Setup time, W low before CAS high  
Setup time, W low before RAS high  
Setup time, W low before CAS low  
0
0
0
RCS  
CWL  
RWL  
WCS  
WRP  
CAH  
DH  
15  
15  
0
18  
18  
0
20  
20  
0
Setup time, W high before RAS low (CBR refresh only)  
Hold time, column address after CAS low  
Hold time, data after CAS low  
10  
10  
10  
10  
0
10  
15  
15  
10  
0
10  
15  
15  
10  
0
Hold time, row address after RAS low  
Hold time, W high after CAS high (see Note 9)  
Hold time, W high after RAS high (see Note 9)  
Hold time, W low after CAS low  
RAH  
RCH  
RRH  
WCH  
WRH  
RHCP  
CHR  
CRP  
CSH  
CSR  
RAD  
RAL  
CAL  
RCD  
RPC  
RSH  
REF  
T
0
0
0
10  
10  
35  
10  
5
15  
10  
40  
10  
5
15  
10  
45  
10  
5
Hold time, W high after RAS low (CBR refresh only)  
Hold time, RAS high from CAS precharge  
Delay time, RAS low to CAS high (CBR refresh only)  
Delay time, CAS high to RAS low  
Delay time, RAS low to CAS high  
60  
5
70  
5
80  
5
Delay time, CAS low to RAS low (CBR refresh only)  
Delay time, RAS low to column address (see Note 10)  
Delay time, column address to RAS high  
Delay time, column address to CAS high  
Delay time, RAS low to CAS low (see Note 10)  
Delay time, RAS high to CAS low  
15  
30  
30  
20  
0
30  
45  
15  
35  
35  
20  
0
35  
52  
15  
40  
40  
20  
0
40  
60  
Delay time, CAS low to RAS high  
15  
18  
20  
Refresh time interval  
32  
30  
32  
30  
32  
30  
Transition time  
3
3
3
NOTES: 7. All cycle times assume t = 5 ns.  
T
8. To assure t  
9. Either t  
min, t  
should be ≥ t .  
PC  
or t  
ASC  
must be satisfied for a read cycle.  
RCH  
CP  
RRH  
10. The maximum value is specified only to assure access time  
5
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1234567

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