5秒后页面跳转
TM497GU8-60 PDF预览

TM497GU8-60

更新时间: 2024-02-26 09:03:02
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 83K
描述
4MX8 FAST PAGE DRAM MODULE, 60ns, SMA30, SIMM-30

TM497GU8-60 技术参数

是否无铅: 含铅生命周期:Obsolete
零件包装代码:SIMM包装说明:SIMM, SIM30
针数:30Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.71访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XSMA-N30
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:30
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:SIMM封装等效代码:SIM30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:16.637 mm
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.22 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:2.54 mm端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

TM497GU8-60 数据手册

 浏览型号TM497GU8-60的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TM497GU8-60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TM497GU8-60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TM497GU8-60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TM497GU8-60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TM497GU8-60的Datasheet PDF文件第7页 
TM497GU8  
4194304-WORD BY 8-BIT  
DYNAMIC RAM MODULE  
SMMS498A– APRIL 1994 – REVISED JUNE 1995  
capacitance over recommended ranges of supply voltage and operating free-air temperature,  
f = 1 MHz (see Note 5)  
PARAMETER  
MIN  
MAX  
10  
14  
14  
7
UNIT  
pF  
C
C
C
C
Input capacitance, A0A10  
Input capacitance, CAS and RAS  
Input capacitance, W  
i(A)  
i(RC)  
i(W)  
o
pF  
pF  
Output capacitance, DQ1DQ8  
pF  
NOTE 5:  
V
CC  
= 5 V ± 0.5 V, and the bias on the pin under test is 0 V.  
switching characteristics over recommended ranges of supply voltage and operating free-air  
temperature  
’497GU8-60  
’497GU8-70  
’497GU8-80  
PARAMETER  
UNIT  
MIN  
MAX  
30  
MIN  
MAX  
35  
MIN  
MAX  
40  
t
t
t
t
t
t
t
Access time from column address  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
AA  
Access time from CAS low  
15  
18  
20  
CAC  
CPA  
RAC  
CLZ  
OH  
Access time from column precharge  
Access time from RAS low  
35  
40  
45  
60  
70  
80  
CAS to output in low-impedance state  
Output disable time from start of CAS high  
Output disable time after CAS high (see Note 6)  
0
3
0
0
3
0
0
3
0
15  
18  
20  
OFF  
NOTE 6:  
t
is specified when the output is no longer driven.  
OFF  
4
POST OFFICE BOX 1443 HOUSTON, TEXAS 77251–1443  

与TM497GU8-60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TM497GU8-70 TI

获取价格

4MX8 FAST PAGE DRAM MODULE, 70ns, SMA30, SIMM-30
TM497MBK36A-60 TI

获取价格

4MX36 FAST PAGE DRAM MODULE, 60ns, SMA72, SIMM-72
TM497MBK36A-70 TI

获取价格

4MX36 FAST PAGE DRAM MODULE, 70ns, SMA72, SIMM-72
TM497MBK36A-80 TI

获取价格

4MX36 FAST PAGE DRAM MODULE, 80ns, SMA72, SIMM-72
TM497MBK36H TI

获取价格

4194304 BY 36-BIT DYNAMIC RAM MODULES
TM497MBK36H-60 TI

获取价格

4MX36 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 60ns, SMA72, SIMM-72
TM497MBK36H-70 TI

获取价格

4MX36 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 70ns, SMA72, SIMM-72
TM497MBK36H-80 TI

获取价格

4MX36 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80ns, SMA72, SIMM-72
TM497MBK36I TI

获取价格

4194304 BY 36-BIT DYNAMIC RAM MODULES
TM497MBK36I-60 TI

获取价格

4MX36 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 60ns, SMA72, SIMM-72