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TM497FBK32S-70

更新时间： 2024-01-28 22:22:22

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德州仪器 - TI		存储内存集成电路动态存储器
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12页	172K
描述
EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RAM MODULES

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TM497FBK32S-70 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM,	针数：	72
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-XSMA-N72	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	72	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	SIMM
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

TM497FBK32S-70 数据手册

side 1

A0–A10

RAS0

CAS0

RAS2

CAS2

CAS3

CAS1

4 M × 4

A0–A10

RAS

CAS

4 M × 4

A0–A10

RAS

CAS

4 M × 4

A0–A10

RAS

CAS

4 M × 4

A0–A10

RAS

CAS

DQ1–

DQ4

DQ1–

DQ4

DQ1–

DQ4

DQ1–

DQ4

DQ0–

DQ3

DQ8–

DQ11

DQ16–

DQ19

DQ24–

DQ27

4 M × 4

A0–A10

RAS

CAS

4 M × 4

A0–A10

RAS

CAS

11 4 M × 4

A0–A10

RAS

11 4 M × 4

A0–A10

RAS

CAS

DQ1–

DQ4

DQ1–

DQ4

DQ1–

DQ4

DQ1–

DQ4

DQ4–

DQ7

DQ12–

DQ15

DQ20–

DQ23

DQ28–

DQ31

side 2

A0–A10

RAS1

RAS3

CAS2

CAS3

CAS0

CAS1

4 M × 4

A0–A10

RAS

CAS

4 M × 4

A0–A10

RAS

CAS

4 M × 4

A0–A10

RAS

CAS

4 M × 4

A0–A10

RAS

CAS

DQ1–

DQ4

DQ1–

DQ4

DQ1–

DQ4

DQ1–

DQ4

DQ0–

DQ3

DQ8–

DQ11

DQ16–

DQ19

DQ24–

DQ27

4 M × 4

A0–A10

RAS

CAS

4 M × 4

A0–A10

RAS

CAS

11 4 M × 4

A0–A10

RAS

11 4 M × 4

A0–A10

RAS

CAS

DQ1–

DQ4

DQ1–

DQ4

DQ1–

DQ4

DQ1–

DQ4

DQ4–

DQ7

DQ12–

DQ15

DQ20–

DQ23

DQ28–

DQ31

Figure 2. Functional Block Diagram of TM893GBK32/S

1...3 4 567 8 9...12

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