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TM2TR64EPH

更新时间： 2022-03-30 15:33:11
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德州仪器 - TI /
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22页 365K
描述
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULES

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TM2TR64EPH 数据手册

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SMMS702B − JANUARY 1998 − REVISED APRIL 1998  
†
absolute maximum ratings over operating ambient temperature range (unless otherwise noted)  
Supply voltage range, V  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −0.5 V to 4.6 V  
DD  
Voltage range on any pin (see Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . − 0.5 V to 4.6 V  
Short-circuit output current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA  
Power dissipation: TM2TR64EPH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 W  
TM4TR64EPH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 W  
TM2TR72EPH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 W  
TM4TR72EPH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 W  
Operating ambient temperature range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0°C to 70°C  
A
Storage temperature range, T  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . − 55°C to 150°C  
stg  
†
Stresses beyond those listed under “absolute maximum ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and  
functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under “recommended operating conditions” is not  
implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.  
NOTE 1: All voltage values are with respect to V  
.
SS  
recommended operating conditions‡  
MIN NOM  
MAX  
UNIT  
V
V
V
V
V
V
Supply voltage  
3
3.3  
0
3.6  
DD  
Supply voltage  
V
SS  
High-level input voltage  
High-level input voltage for the SPD device  
Low-level input voltage  
Operating ambient temperature  
2
V
V
+ 0.3  
V
IH  
DD  
0.7 V  
+ 0.5  
V
IH-SPD  
IL  
* DD  
−0.3  
DD  
0.8  
70  
V
T
A
0
°C  
‡
The overshoot and undershoot voltage duration is less than or equal to 3 ns with no input clamp diode.  
capacitance over recommended ranges of supply voltage and ambient temperature,  
f = 1 MHz (see Note 2)§  
TMxTRxxEPH  
PARAMETER  
UNIT  
MIN  
2.5  
MAX  
C
C
C
C
C
C
C
C
Input capacitance, CK input  
4
5
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
i(CK)  
Input capacitance, address and control inputs: A0−A11, RAS, CAS, WE  
Input capacitance, CKE input  
2.5  
i(AC)  
5
i(CKE)  
o
Output capacitance  
4
2.5  
2.5  
6.5  
5
Input capacitance, DQMBx input  
i(DQMBx)  
i(Sx)  
Input capacitance, Sx input  
5
Input/output capacitance, SDA input  
Input capacitance, SA0, SA1, SA2, SCL inputs  
9
i/o(SDA)  
i(SPD)  
7
§
Specifications in this table represent a single SDRAM device.  
NOTE 2: = 3.3 V 0.3 V. Bias on pins under test is 0 V.  
V
DD  
9
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251−1443  
1...6789101112...22

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