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TM2EJ64EPN-50

更新时间: 2024-02-28 03:58:48
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 276K
描述
2MX64 EDO DRAM MODULE, 50ns, DMA144, DIMM-144

TM2EJ64EPN-50 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM, DIMM144,32针数:144
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:50 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N144内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:144字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM144,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
自我刷新:NO最大待机电流:0.008 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.8 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

TM2EJ64EPN-50 数据手册

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TM2EJ64DPN, TM2FJ64DPN 2097152 BY 64-BIT  
TM2EJ64EPN, TM2FJ64EPN 2097152 BY 64-BIT  
EXTENDED-DATA-OUT DYNAMIC RAM MODULES — SODIMM  
SMMS685 – AUGUST 1997  
device symbolization (TM2EJ64DPN illustrated)  
TM2EJ64DPN  
-SS  
YYMMT  
YY = Year Code  
MM = Month Code  
T = Assembly Site Code  
-SS = Speed Code  
NOTE A: Location of symbolization may vary.  
18  
POST OFFICE BOX 1443 HOUSTON, TEXAS 77251–1443  

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