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TLP781F(GR,F)

更新时间： 2024-02-04 23:16:50
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
15页 392K
描述
PHOTO TRANSISTOR 60MA 4-DIP WIDE

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TLP781F(GR,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
Reach Compliance Code：unknown风险等级：6.08
当前传输比率-最小值：100%最大正向电流：0.025 A
最大正向电压：1.3 V最大绝缘电压：5000 V
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT元件数量：1
最大通态电流：0.05 A最高工作温度：110 °C
最低工作温度：-55 °C最大功率耗散：0.15 W
子类别：Optocoupler - Transistor Outputs表面贴装：NO
Base Number Matches：1

TLP781F(GR,F) 数据手册

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TLP781/TLP781F  
Recommended Operating Conditions  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Supply voltage  
Forward current  
Collector current  
V
―
―
5
16  
1
24  
25  
10  
85  
V
CC  
I
mA  
mA  
°C  
F
I
―
C
Operating temperature  
T
opr  
−25  
―
(Note): Recommended operating conditions are given as a design guideline to obtain  
expected performance of the device.  
Additionally, each item is an independent guideline respectively.  
In developing designs using this product, please confirm specified characteristics  
shown in this document.  
Individual Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Forward voltage  
Symbol  
Test Condition  
= 10 mA  
F
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
I
1.0  
―
1.15  
―
1.3  
10  
―
V
F
Reverse current  
Capacitance  
I
V
= 5 V  
R
μA  
pF  
R
C
V = 0, f = 1 MHz  
―
30  
T
Collector−emitter  
V
V
I
I
= 0.5 mA  
= 0.1 mA  
80  
7
―
―
―
―
V
V
(BR) CEO  
(BR) ECO  
C
E
breakdown voltage  
Emitter−collector  
breakdown voltage  
V
V
= 24 V  
―
―
―
0.01  
0.6  
10  
0.1  
50  
―
μA  
μA  
pF  
CE  
CE  
Collector dark current  
I (I  
)
CEO  
D
= 24 V, Ta = 85°C  
Capacitance (collector to emitter)  
C
V = 0, f = 1 MHz  
CE  
Coupled Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
%
50  
100  
―
―
―
60  
―
―
0.2  
―
600  
600  
―
I
= 5 mA, V = 5 V  
CE  
F
Current transfer ratio  
I / I  
C F  
Rank GB  
Rank GB  
IF = 1 mA, V = 0.4 V  
CE  
Saturated CTR  
I
/ I  
F (sat)  
%
V
C
30  
―
―
I
I
= 2.4 mA, I = 8 mA  
0.4  
―
C
C
F
Collector−emitter saturation voltage  
V
―
CE (sat)  
= 0.2 mA, I = 1 mA  
F
Rank GB  
―
0.4  
Isolation Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
0.8  
Max  
Unit  
Capacitance  
C
R
V
V
= 0, f = 1 MHz  
= 500 V  
―
―
pF  
S
S
S
(input to output)  
12  
14  
Isolation resistance  
1×10  
5000  
―
10  
―
―
―
―
Ω
S
AC, 1 minute  
―
V
rms  
Isolation voltage  
BV  
AC, 1 second, in oil  
DC, 1 minute, in oil  
10000  
10000  
S
―
Vdc  
3
2014-09-08  
1234567...15

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