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TK6P53D

更新时间： 2024-11-13 05:52:07

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东芝 - TOSHIBA		稳压器开关
页数	文件大小	规格书
6页	207K
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Switching Regulator Applications

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TK6P53D 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	雪崩能效等级（Eas）：	119 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	525 V	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	1.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TK6P53D 数据手册

TK6P53D

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)

TK6P53D

Switching Regulator Applications

Unit: mm

6.6 ± 0.2

5.34 ± 0.13

•

Low drain-source ON-resistance: R

High forward transfer admittance: ⎪Y ⎪ = 2.5 S (typ.)

= 1.1 Ω (typ.)

DS (ON)

0.58MAX

Low leakage current: I

= 10 μA (max) (V

= 525 V)

DSS

Enhancement-mode: V = 2.4 to 4.4 V (V

= 10 V, I = 1 mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

1.14MAX

2.29

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

0.76 ± 0.12

525

±30

DSS

Gate-source voltage

GSS

(Note 1)

Drain current

Pulse (t = 1 ms)

1. GATE

2. DRAIN

(Note 1)

（HEAT SINK）

3. SOURCE

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

100

119

Single pulse avalanche energy

(Note 2)

JEDEC

JEITA

⎯

Avalanche current

Repetitive avalanche energy (Note 3)

Channel temperature

°C

TOSHIBA

2-7K1A

150

Weight : 0.36 g (typ.)

Storage temperature range

stg

−55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate

reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and

Methods’’) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Thermal resistance, channel to case

Thermal resistance, channel to ambient

1.25

125

°C/W

th (ch-c)

th (ch-a)

Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.

Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 5.67 mH, R = 25 Ω, I = 6 A

Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature

This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.

2010-01-19

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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TK6P65W	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 650 V, 1.05 Ω@10V, DPAK, DTMOSⅣ
TK6Q60W	TOSHIBA	获取价格	Switching Voltage Regulators
TK6Q65W	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 650 V, 1.05 Ω@10V, IPAK, DTMOSⅣ
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