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TK60D08J1

更新时间： 2024-02-29 18:27:16

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东芝 - TOSHIBA		稳压器开关
页数	文件大小	规格书
6页	191K
描述
Switching Regulator Application

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TK60D08J1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	LEAD FREE, 2-10V1A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	雪崩能效等级（Eas）：	498 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	75 V	最大漏极电流 (ID)：	60 A
最大漏源导通电阻：	0.0078 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TK60D08J1 数据手册

TK60D08J1

− Tc

− V

DR DS

DS (ON)

1000

Common source

Tc = 25°C

Pulse Test

Common source

Pulse Test

300

100

= 60 A

= 4.5V

= 10V

−80

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

−40

120

160

100

200

Case temperature Tc (°C)

Drain-source voltage

(V)

Capacitance – V

− Tc

10000

1000

100

Common source

= 10 V

= 1mA

iss

Pulse Test

oss

Common source

= 0 V

rss

f = 1 MHz

Tc = 25°C

0.1

−80

−40

120

160

Drain-source voltage

(V)

Case temperature Tc (°C)

Dynamic input / output

characteristics

− Tc

200

150

100

Common source

= 60 A

Ta = 25°C

Pulse Test

30V

60V

= 15V

120

160

100

Case temperature Tc (°C)

Total gate charge

(nC)

2009-09-29

1 2 345 6

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