TK40P03M1

更新时间： 2024-11-05 11:58:59

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东芝 - TOSHIBA		晶体转换器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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DC-DC Converters

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TK40P03M1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	42 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.0144 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TK40P03M1 数据手册

TK40P03M1

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)

TK40P03M1

1. Applications

•

DC-DC Converters

•

Desktop PCs

2. Features

(1) High-speed switching

(2) Low gate charge: QSW = 5.7 nC (typ.)

(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.3 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(4) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 30 V)

(5) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1: Gate

2: Drain (heatsink)

3: Source

DPAK

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

±20

(Note 1)

IDP

120

(Tc = 25)

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

(Note 2)

EAS

IAR

Channel temperature

Storage temperature

Tch

Tstg

150



-55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2011-09-28

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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