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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> TK40P03M1
TK40P03M1 PDF预览

TK40P03M1

更新时间： 2024-09-25 11:58:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体转换器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 246K
描述
DC-DC Converters

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TK40P03M1 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：42 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.0144 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TK40P03M1 数据手册

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TK40P03M1  
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)  
TK40P03M1  
1. Applications  
•
DC-DC Converters  
•
Desktop PCs  
2. Features  
(1) High-speed switching  
(2) Low gate charge: QSW = 5.7 nC (typ.)  
(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.3 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)  
(4) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 30 V)  
(5) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1: Gate  
2: Drain (heatsink)  
3: Source  
DPAK  
4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25unless otherwise specified)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
Drain current (pulsed)  
Power dissipation  
VDSS  
VGSS  
ID  
30  
±20  
(Note 1)  
(Note 1)  
40  
A
IDP  
120  
(Tc = 25)  
PD  
33  
W
mJ  
A
Single-pulse avalanche energy  
Avalanche current  
(Note 2)  
EAS  
IAR  
42  
40  
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
Tstg  
150  
-55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
2011-09-28  
Rev.1.0  
1
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