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TK100L60W

更新时间： 2024-11-21 12:33:23

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MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)

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TK100L60W 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
雪崩能效等级（Eas）：	1582 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.018 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TK100L60W 数据手册

TK100L60W

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)

TK100L60W

1. Applications

•

Switching Voltage Regulators

2. Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.015 Ω (typ.)

by used to Super Junction Structure : DTMOS

(2) Easy to control Gate switching

(3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 5 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1: Gate

2: Drain (Heatsink)

3: Source

TO-3P(L)

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

600

±30

(Note 1)

100

IDP

400

(Tc = 25)

797

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

(Note 2)

EAS

IAR

1582

Reverse drain current (DC)

Reverse drain current (pulsed)

Channel temperature

(Note 1)

IDR

100

IDRP

Tch

400

150



Storage temperature

Tstg

TOR

-55 to 150

0.8

Mounting torque

Nm

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2012-10-09

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...10

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TK10203AM9	TOKO	获取价格	Half Bridge Based Peripheral Driver, HSON-10
TK10203AM9G0B	TOKO	获取价格	Micro Peripheral IC
TK10203AM9G0B	AKM	获取价格	Half Bridge Based Peripheral Driver, PDSO10, 3 X 3 MM, HALOGEN AND LEAD FREE, SON-10
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