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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TJ20710600J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block, |
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| TJ20715200J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block, |
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| TJ20716200J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| TJ20716700J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| TJ20718600J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block, |
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| TJ2071C000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| TJ20A10M3 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 20 A, 100 V, 0.09 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10U1B, S |
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| TJ20A10M3(STA4,Q | TOSHIBA |
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Power Field-Effect Transistor |
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| TJ20L(1)-4P | HRS |
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连接器类型:插座;面板安装方法:螺丝固定;线束品:无;盐水喷雾时间(耐腐蚀性):h;插拔次 |
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| TJ20S04M3L | TOSHIBA |
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MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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