是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
零件包装代码: | SC-67 | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.7 |
雪崩能效等级(Eas): | 124 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 20 A | 最大漏极电流 (ID): | 20 A |
最大漏源导通电阻: | 0.09 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 35 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TJ20A10M3(STA4,Q | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor | |
TJ20L(1)-4P | HRS |
获取价格 |
连接器类型:插座;面板安装方法:螺丝固定;线束品:无;盐水喷雾时间(耐腐蚀性):h;插拔次 | |
TJ20S04M3L | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS) | |
TJ2110 | HTC |
获取价格 |
Single-Channel Power Distribution Switch | |
TJ2110HGD | HTC |
获取价格 |
Single-Channel Power Distribution Switch | |
TJ2110HGMD | HTC |
获取价格 |
Single-Channel Power Distribution Switch | |
TJ2110HGSF5 | HTC |
获取价格 |
Single-Channel Power Distribution Switch | |
TJ2110LGD | HTC |
获取价格 |
Single-Channel Power Distribution Switch | |
TJ2110LGMD | HTC |
获取价格 |
Single-Channel Power Distribution Switch | |
TJ2110LGSF5 | HTC |
获取价格 |
Single-Channel Power Distribution Switch |