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TJ20A10M3

更新时间: 2024-11-20 21:02:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 263K
描述
TRANSISTOR 20 A, 100 V, 0.09 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power

TJ20A10M3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:SC-67包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.7
雪崩能效等级(Eas):124 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.09 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):40 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

TJ20A10M3 数据手册

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TJ20A10M3  
東芝電界効果トランジスタ シリコンPチャネルMOS(U-MOS)  
TJ20A10M3  
スイッチングレギュレータ用  
単位: mm  
オン抵抗が低い。 : R  
= 63 mΩ (標準)  
DS (ON)  
順方向伝達アドミタンスが高い。: |Y |= 50 S (標準)  
fs  
漏れ電流が低い。 : I  
= 10 μA (最大) (V  
= 100 V)  
DSS  
DS  
取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。  
: V = 2.0 ~ 4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA)  
th  
DS  
D
絶対最大定格 (Ta = 25°C)  
記 号  
単位  
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 電 圧  
ド レ イ ン ・ ゲ ー ト 間 電 圧  
V
100  
V
DSS  
DGR  
V
100  
V
V
(R  
GS  
= 20 kΩ)  
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧  
DC (1)  
パルス (1)  
( T c 2 5 ° C )  
アバランシェエネルギー (単発) 2)  
V
±20  
20  
GSS  
I
D
ド レ イ ン 電 流  
A
I
40  
35  
DP  
=
P
W
mJ  
A
D
AS  
AR  
(
E
124  
JEDEC  
ア バ ラ ン シ ェ 電 流  
I
20  
JEITA  
SC-67  
2-10U1B  
アバランシェエネルギー (連続)(3)  
E
2.29  
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
150  
ch  
東 芝  
T
stg  
55 ~ 150  
質量: 1.7 g (標準)  
: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても, 高負荷 (高温および大電  
流/高電圧印加, 多大な温度変化等) で連続して使用される場合は, 信頼性が著しく低下するおそれがあります。  
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および  
個別信頼性情報 (信頼性試験レポート, 推定故障率等) をご確認の上, 適切な信頼性設計をお願いします。  
1: チャネル温度150°C を超えることのない放熱条件でご使用ください。  
2: アバランシェエネルギー (単発) 印加条件  
V
DD  
= −25 V, T = 25°C (初期), L = 500 μH, R = 25 Ω, I  
= −20 A  
AR  
ch  
G
3: 連続印加の際、パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。  
熱抵抗特性  
2
記 号  
最大定格  
単位  
チ ャ ネ ル ・ ケ ー ス 間 熱 抵 抗  
チ ャ ネ ル ・ 外 気 間 熱 抵 抗  
R
3.57  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
1
この製品MOS 構造ですので取り扱いの際には静電気にご注意ください。  
3
1
2009-03-23  

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