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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 924 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 200 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0026 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 600 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TJ20112400J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| TJ20119400J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| TJ2011C200J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| TJ20315300J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block, |
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| TJ20315400J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block, |
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| TJ20318300J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block, |
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| TJ20319200J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| TJ20319400J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| TJ20516200J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block, 20A, 2.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s), ROHS COMPLIANT |
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| TJ2051C600J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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