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TIS75

更新时间: 2024-11-16 20:14:11
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-18

TIS75 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.83
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏源导通电阻:60 Ω
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):8 pF
JEDEC-95代码:TO-18JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.36 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:CHOPPER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

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