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TIS73-J61Z

更新时间： 2024-11-25 21:16:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 44K
描述
Transistor

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TIS73-J61Z 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92FET 技术：JUNCTION
JESD-609代码：e0最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.36 W
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

TIS73-J61Z 数据手册

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TIS73/TIS74  
N-Channel General Purpose Amplifier  
•
This device is designed for low level analog switching, sample and  
hold circuits and chopper stabilized amplifiers.  
Sourced from process 54.  
•
TO-92  
1. Gate 2. Source 3. Drain  
1
Absolute Maximum Ratings * T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
V
V
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
DG  
GS  
-30  
V
I
10  
mA  
°C  
GF  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ +150  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
Gate-Source Breakdown Voltage  
Gate Reverse Current  
I
= 1.0µA, V = 0  
-30  
V
(BR)GSS  
GSS  
G
DS  
I
V
V
= 15V, V = 0  
-2.0  
-5.0  
nA  
µA  
GS  
GS  
DS  
= 15V, V = 0, T = 100°C  
DS  
a
I (off)  
Drain Cutoff Leakage Current  
Gate-Source Cutoff Voltage  
V
V
= 15V, V = -10V  
-2.0  
-5.0  
nA  
µA  
D
DS  
DS  
GS  
= 15V, V = -10V,  
GS  
T = 100°C  
a
V
(off)  
V
= 15V, I = 4.0nA  
TIS73  
TIS74  
-4.0  
-2.0  
-10  
-6.0  
V
V
GS  
DS  
D
On Characteristics *  
I
Zero-Gate Voltage Drain Current *  
V
V
= 15V, V = 0  
TIS73  
TIS74  
50  
20  
mA  
mA  
DSS  
DS  
DS  
GS  
100  
r
(on)  
Drain-Source On Resistance  
≤ 0.1V, V = 0  
TIS73  
TIS74  
25  
40  
Ω
Ω
DS  
GS  
f = 1.0KHz  
Small Signal Characteristics  
C
C
Input Capacitance  
V
V
= 0, V = -10V, f = 1.0MHz  
18  
pF  
pF  
iss  
rss  
DS  
DS  
GS  
Reverse Transfer Capacitance  
= 0, V = -10V, f = 1.0MHz  
8.0  
GS  
Switching Characteristics  
t
Rise Time  
V
(off) = -10V, V (on) = 0,  
GS GS  
r
I
= 20mA, V = 10V  
TIS73  
TIS74  
3.0  
4.0  
ns  
ns  
D
DS  
t
t
Turn-On Time  
Turn-Off Time  
V
= -10V, V (on) = 0,  
GS(off) GS  
on  
I
= 20mA, V = 10V  
6.0  
ns  
D
DS  
V
(off) = -10V, V (on) = 0,  
GS  
off  
GS  
I
= 20mA, V = 10V  
TIS73  
TIS74  
25  
50  
ns  
ns  
D
DS  
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 3.0%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, November 2002  
12345

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