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TIP41ABG

更新时间： 2024-11-04 20:10:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 132K
描述
6A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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TIP41ABG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.57外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

TIP41ABG 数据手册

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TIP41G, TIP41AG, TIP41BG,  
TIP41CG (NPN),  
TIP42G,ꢀTIP42AG, TIP42BG,  
TIP42CGꢀ(PNP)  
Complementary Silicon  
Plastic Power Transistors  
http://onsemi.com  
6 AMPERE  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
40−60−80−100 VOLTS,  
65 WATTS  
Designed for use in general purpose amplifier and switching  
applications.  
Features  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*  
MAXIMUM RATINGS  
PNP  
NPN  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
COLLECTOR  
2,4  
COLLECTOR  
2,4  
Collector−Emitter Voltage  
TIP41G, TIP42G  
TIP41AG, TIP42AG  
TIP41BG, TIP42BG  
TIP41CG, TIP42CG  
V
CEO  
Vdc  
40  
60  
80  
1
1
100  
BASE  
BASE  
Collector−Base Voltage  
TIP41G, TIP42G  
TIP41AG, TIP42AG  
TIP41BG, TIP42BG  
TIP41CG, TIP42CG  
V
Vdc  
CB  
40  
60  
80  
3
3
EMITTER  
EMITTER  
100  
4
Emitter−Base Voltage  
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
Base Current  
V
5.0  
6.0  
10  
Vdc  
Adc  
Adc  
Adc  
EB  
I
TO−220  
CASE 221A  
STYLE 1  
C
I
CM  
I
2.0  
B
1
2
3
Total Power Dissipation  
P
P
D
@ T = 25°C  
65  
0.52  
W
W/°C  
C
Derate above 25°C  
MARKING DIAGRAM  
Total Power Dissipation  
D
@ T = 25°C  
2.0  
0.016  
W
W/°C  
A
Derate above 25°C  
Unclamped Inductive Load Energy  
(Note 1)  
E
62.5  
mJ  
TIP4xxG  
AYWW  
Operating and Storage Junction,  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
°C  
J
stg  
ESD − Human Body Model  
ESD − Machine Model  
HBM  
MM  
3B  
C
V
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
TIP4xx = Device Code  
xx  
= 1, 1A, 1B, 1C  
2, 2A, 2B, 2C  
1. I = 2.5 A, L = 20 mH, P.R.F. = 10 Hz, V = 10 V, R = 100 W.  
C
CC  
BE  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
September, 2013 − Rev. 10  
TIP41A/D  
 
1234567

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与TIP41ABG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP41A-BP MCC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
TIP41A-BP-HF MCC

获取价格

 		暂无描述
TIP41ABS ONSEMI

获取价格

 		6A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
TIP41ABU ONSEMI

获取价格

 		6A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
TIP41ABV ONSEMI

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 		6A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
TIP41AC TRSYS

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 		Plastic-Encapsulated Transistors
TIP41AC MOTOROLA

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 		6A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP41AD1 MOTOROLA

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 		6A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP41A-DR6260 RENESAS

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 		7A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP41A-DR6274 RENESAS

获取价格

 		7A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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