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TIP41_11

更新时间： 2024-11-04 08:48:39

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美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	246K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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TIP41_11 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

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TIP41/41A/41B/41C

Micro Commercial Components

Features

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

The complementary PNP types are the TIP42 respectively

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Silicon NPN

•

Power Transistors

Marking : Part Number

Absolute Maximum Ratings @ T

= 25℃ (unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Value

Unit

TO-220

V_CBO

TIP41

TIP41A

TIP41B

TIP41C

V_CEO

TIP41

TIP41A

TIP41B

TIP41C

V_EBO

Collector-base voltage

(Open emitter)

100

Collector-emitter voltage

(Open base)

100

Emitter-base Voltage (Open collector)

Collector Current

I_C

I_CM

I_B

Collector Current Pulse

Base Current

Total Device Dissipation(Ta=25℃)

P_C

Total Device Dissipation(Tc=25℃)

150

℃

T_J

Junction Temperature

T_STG

Storage Temperature Range

-65 to +150

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

PIN 1.

PIN 2.

PIN 3.

BASE

COLLECTOR

EMITTER

V_CEO(SUS)

TIP41

TIP41A

TIP41B

TIP41C

Collector-emitter sustaining voltage

( I_C=30mA; I_B=0)

DIMENSIONS

INCHES

100

DIM

MIN MAX

MIN

14.22

9.65

MAX

15.88

10.67

NOTE

Collector-emitter Saturation Voltage

( I_C=6A I_B=0.6A )

.560

.380

.140

.625

.420

.190

V_CE(sat)

V_BE

1.5

2.0

Base-emitter Voltage

( I_C=6A ; V_CE=4V )

3.56

4.82

.020

.139

.190

---

.045

.161

.110

.250

.025

0.51

3.53

2.29

---

1.14

4.09

2.79

6.35

0.64

I_CES

TIP41

Collector cut-off current

(V_CE=40V; V_EB=0)

TIP41A

TIP41B

TIP41C

(V_CE=60V; V_EB=0)

(V_CE=80V; V_EB=0)

(V_CE=100V; V_EB=0)

0.4

0.7

.012

0.30

.500

.045

.580

.060

12.70

1.14

14.73

1.52

I_CEO

TIP41/41A

TIP41B/C

Collector cut-off current

(V_CE=30V; V_EB=0)

(V_CE=60V; V_EB=0)

Emitter cut-off current

(V_EB=5V; I_C=0)

DC current gain

(I_C=0.3A ; V_CE=4V)

(I_C=3A ; V_CE=4V)

.190

.210

4.83

5.33

.100

.080

.045

.230

-----

.135

.115

.055

.270

.050

-----

2.54

2.04

1.14

5.84

-----

3.43

2.92

1.39

6.86

1.27

-----

I_EBO

hfe

1.0

.045

1.15

Transition frequency

( I_C=0.5A ; V_CE=10V)

f_T

MHZ

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TIP-4131SCE-1	VISHAY	获取价格	12.1” Infrared Touch Panel
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