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TIP29B

更新时间： 2024-02-18 19:01:22
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Medium Power Linear Switching Applications

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TIP29B 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Base Number Matches：1

TIP29B 数据手册

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TIP29 Series(TIP29/29A/29B/29C)  
Medium Power Linear Switching Applications  
•
Complementary to TIP30/30A/30B/30C  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage : TIP29  
40  
60  
80  
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
: TIP29A  
: TIP29B  
: TIP29C  
100  
Collector-Emitter Voltage : TIP29  
40  
60  
80  
V
V
V
V
: TIP29A  
: TIP29B  
: TIP29C  
100  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
I
I
I
1
C
3
A
CP  
B
0.4  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
30  
2
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
*Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: TIP29  
I
= 30mA, I = 0  
40  
60  
80  
V
V
V
V
C
B
: TIP29A  
: TIP29B  
: TIP29C  
100  
I
Collector Cut-off Current  
: TIP29/29A  
CEO  
V
V
= 30V, I = 0  
0.3  
0.3  
mA  
mA  
CE  
CE  
B
: TIP29B/29C  
= 60V, I = 0  
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP29  
CES  
V
V
V
V
= 40V, V = 0  
200  
200  
200  
200  
µA  
µA  
µA  
µA  
CE  
CE  
CE  
CE  
EB  
: TIP29A  
: TIP29B  
: TIP29C  
= 60V, V = 0  
EB  
= 80V, V = 0  
EB  
= 100V, V = 0  
EB  
I
Emitter Cut-off Current  
*DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
1.0  
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= 4V, I = 0.2A  
40  
15  
FE  
CE  
CE  
C
= 4V, I = 1A  
75  
0.7  
1.3  
C
V
V
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I
= 1A, I = 125mA  
V
V
CE  
BE  
C
B
(sat)  
V
V
= 4V, I = 1A  
C
CE  
CE  
f
= 10V, I = 200mA  
3.0  
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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TIP29B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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功能相似

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与TIP29B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP29B-6200 RENESAS

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 		3A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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 		3A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
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