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TIP117TU PDF预览

TIP117TU

更新时间： 2024-11-03 18:56:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor, TO-220, MOLDED, 3LEAD, JEDEC VARIATION AB, 1000/RAIL

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TIP117TU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.12
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：500
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：50 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TIP117TU 数据手册

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TIP115/116/117  
Monolithic Construction With Built In Base-  
Emitter Shunt Resistors  
•
•
•
•
High DC Current Gain : h =1000 @ V = -4V, I = -1A (Min.)  
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
Industrial Use  
FE CE C  
Complementary to TIP110/111/112  
TO-220  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor  
Equivalent Circuit  
C
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage : TIP115  
- 60  
- 80  
- 100  
V
V
V
CBO  
: TIP116  
: TIP117  
B
Collector-Emitter Voltage : TIP115  
- 60  
- 80  
- 100  
V
V
V
V
V
: TIP116  
: TIP117  
CEO  
EBO  
R1  
R2  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
- 5  
V
A
I
I
I
- 2  
C
E
R1 10 k Ω  
R2 0.6 k Ω  
-4  
- 50  
A
CP  
B
mA  
W
W
°C  
°C  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
2
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
50  
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: TIP115  
: TIP116  
: TIP117  
I
= -30mA, I = 0  
-60  
-80  
-100  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP115  
CEO  
V
V
V
= -30V, I = 0  
-2  
-2  
-2  
mA  
mA  
mA  
CE  
CE  
CE  
B
: TIP116  
: TIP117  
= -40V, I = 0  
B
= -50V, I = 0  
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP115  
CBO  
V
V
V
= -60V, I = 0  
-1  
-1  
-1  
mA  
mA  
mA  
CB  
CB  
CB  
E
: TIP116  
: TIP117  
= -80V, I = 0  
E
= -100V, I = 0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
= -5V, I = 0  
-2  
mA  
EBO  
BE  
C
h
V
V
= -4V,I = -1A  
1000  
500  
FE  
CE  
CE  
C
= -4V, I = -2A  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
Output Capacitance  
I
= -2A, I = -8mA  
-2.5  
-2.8  
200  
V
V
CE  
BE  
C
B
(on)  
V
V
= -4V, I = -2A  
C
CE  
CB  
C
= -10V, I = 0, f = 0.1MHz  
pF  
ob  
E
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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TIP117TU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP32C STMICROELECTRONICS

功能相似

 Power transistor
TIP125 STMICROELECTRONICS

功能相似

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TIP112 STMICROELECTRONICS

功能相似

 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

与TIP117TU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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