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THM65V8035BTG-5

更新时间: 2024-11-11 19:57:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 1211K
描述
IC 8M X 64 EDO DRAM MODULE, 50 ns, DMA168, TSOP-168, Dynamic RAM

THM65V8035BTG-5 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DMA
包装说明:,针数:168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:50 ns
JESD-30 代码:R-XDMA-N168内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:168字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX64封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):3.47 V
最小供电电压 (Vsup):3.13 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

THM65V8035BTG-5 数据手册

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