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THM65V4075BTG-4

更新时间: 2024-11-11 20:59:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 1224K
描述
IC 4M X 64 EDO DRAM MODULE, 40 ns, DMA168, Dynamic RAM

THM65V4075BTG-4 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:40 ns
JESD-30 代码:R-XDMA-N168内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:168字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX64封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):3.47 V最小供电电压 (Vsup):3.13 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

THM65V4075BTG-4 数据手册

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