生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.24 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 80 ns | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | DRAM MODULE | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
组织: | 8MX32 | 认证状态: | Not Qualified |
技术: | CMOS | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
THM328020SG-60 | TOSHIBA |
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IC 8M X 32 FAST PAGE DRAM MODULE, 60 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM | |
THM328020SG-70 | TOSHIBA |
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IC 8M X 32 FAST PAGE DRAM MODULE, 70 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM | |
THM328020SG-80 | TOSHIBA |
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IC 8M X 32 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80 ns, Dynamic RAM | |
THM328025BS-60 | TOSHIBA |
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IC 8M X 32 EDO DRAM MODULE, 60 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM | |
THM328025BS-70 | TOSHIBA |
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IC 8M X 32 EDO DRAM MODULE, 70 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM | |
THM328025BSG-60 | TOSHIBA |
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IC 8M X 32 EDO DRAM MODULE, 60 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM | |
THM328025BSG-70 | TOSHIBA |
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IC 8M X 32 EDO DRAM MODULE, 70 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM | |
THM331000AS-60 | TOSHIBA |
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IC 1M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 60 ns, Dynamic RAM | |
THM331000AS-70 | TOSHIBA |
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IC 1M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 70 ns, Dynamic RAM | |
THM331000AS-80 | TOSHIBA |
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IC 1M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80 ns, Dynamic RAM |