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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SIMM |
| 针数： | 72 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间： | 70 ns | 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-XSMA-N72 | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 72 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8MX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 2048 | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| THM328025BSG-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 8M X 32 EDO DRAM MODULE, 60 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM |
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| THM328025BSG-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 8M X 32 EDO DRAM MODULE, 70 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM |
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| THM331000AS-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 1M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 60 ns, Dynamic RAM |
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| THM331000AS-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 1M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 70 ns, Dynamic RAM |
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| THM331000AS-80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 1M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80 ns, Dynamic RAM |
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| THM334080AS-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 60 ns, Dynamic RAM |
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| THM334080AS-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 70 ns, Dynamic RAM |
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| THM334080AS-80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80 ns, Dynamic RAM |
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| THM334080ASG-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 60 ns, Dynamic RAM |
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| THM334080ASG-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 70 ns, Dynamic RAM |
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