5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 80 ns | 内存密度： | 34603008 bit |
| 内存集成电路类型： | DRAM MODULE | 内存宽度： | 33 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 组织： | 1MX33 | 认证状态： | Not Qualified |
| 技术： | CMOS | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| THM334080AS-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 60 ns, Dynamic RAM |
|
| THM334080AS-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 70 ns, Dynamic RAM |
|
| THM334080AS-80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80 ns, Dynamic RAM |
|
| THM334080ASG-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 60 ns, Dynamic RAM |
|
| THM334080ASG-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 70 ns, Dynamic RAM |
|
| THM334080ASG-80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80 ns, Dynamic RAM |
|
| THM334080CS-50 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 50 ns, Dynamic RAM |
|
| THM334080CSG-50 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 4M X 33 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 50 ns, Dynamic RAM |
|
| THM3-4810 | TRACOPOWER |
获取价格 |
DC/DC Converter |
|
| THM3-4810WI | TOUCHSTONE |
获取价格 |
DC/DC Converters |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
