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TGF148-1100B

更新时间: 2024-02-26 20:55:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极
页数 文件大小 规格书
6页 279K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.1KV V(DRM),63A I(T),TO-208AC

TGF148-1100B 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:150 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:200 mA最大漏电流:12 mA
通态非重复峰值电流:670 A最大通态电压:4 V
最大通态电流:63000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-45 °C断态重复峰值电压:1100 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

TGF148-1100B 数据手册

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