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TGF148-600B

更新时间: 2024-01-18 05:45:50
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 50K
描述
63A, 600V, SCR, TO-65

TGF148-600B 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.84
其他特性:FAST外壳连接:ANODE
标称电路换相断开时间:40 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:150 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 V最大维持电流:200 mA
JEDEC-95代码:TO-65JESD-30 代码:O-MUPM-D2
最大漏电流:12 mA通态非重复峰值电流:670 A
元件数量:1端子数量:2
最大通态电流:63000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:63 A
重复峰值关态漏电流最大值:50 µA断态重复峰值电压:600 V
重复峰值反向电压:600 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

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