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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | FAST | 外壳连接： | ANODE |
| 标称电路换相断开时间： | 40 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 150 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V | 最大维持电流： | 200 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-65 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 |
| 最大漏电流： | 12 mA | 通态非重复峰值电流： | 670 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大通态电流： | 63000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 63 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 50 µA | 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 重复峰值反向电压： | 800 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TGF148-800Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),63A I(T),TO-208AC |
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| TGF148-900B | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,900V V(DRM),63A I(T),TO-208AC |
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| TGF148-900Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,900V V(DRM),63A I(T),TO-208AC |
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| TGF149-100A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),63A I(T),TO-208AC |
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| TGF149-100X | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),63A I(T),TO-208AC |
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| TGF149-200A | STMICROELECTRONICS |
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63A, 200V, SCR, TO-65 |
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| TGF149-200X | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),63A I(T),TO-208AC |
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| TGF149-300X | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,300V V(DRM),63A I(T),TO-208AC |
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| TGF149-400A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
63A, 400V, SCR, TO-65 |
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| TGF149-400X | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),63A I(T),TO-208AC |
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