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TGF1350

更新时间： 2024-01-18 04:50:06

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Discrete MESFET

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TGF1350 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	8 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	O-CRDB-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	0.7 W
最小功率增益 (Gp)：	8 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

TGF1350 数据手册

Product Data Sheet

TGF1350-SCC

RF CHARACTERISTICS

P ARAMETER

Minimum noise figure

TES T CONDITIONS

10 GHz

18 GHz

10 GHz

TYP UNIT

1.5

NF_MIN

G_A

2.5

Associated gain

18 GHz

V_DS= 3 V, I_DS= 15mA, T_A= 25 C

DC CHARACTERISTICS

PARAMETER

V_(BR)GDOGate–drain breakdown voltage

TEST CONDITIONS

I_GS= 1.0mA per mm

MIN

- 6

TYP MAX UNIT

V_(BR)GSOGate–source breakdown voltage

I_GD= 1.0mA per mm

- 6

V_GS(OFF)Gate–source cutoff (pinch–off)

voltage

V_DS= V_DSS

I_D= 0.5mA per mm

V_DS= 0.5 V to 3.5V**

V_GS= 0

- 0.5 - 1.2 - 3

Zero–gate–voltage drain current

I_DSS

50 100 mA

50 78 mA

at saturation

DC transconductance

G_M

V_DS= 0.5 V to V_DSS

= - 0.25V

T_A= 25^OC

*V_DSS= V_DS@ I_DSS

**V_DSfor I_DSSis the drain voltage between 0.5V and 3.5V at which drain current is highest.

EQUIVALENT SCHEMATIC

TriQuint Semiconductor Texas : (972)994 8465 Fax: (972)994 8504 Web: www.triquint.com

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