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TF341

更新时间： 2024-10-29 22:19:51
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三垦 - SANKEN /
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描述
TO-220 3A Thyristor

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TF341 数据手册

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TO-220 3A Thyristor  
TF321M / TF341M / TF361M  
■Features  
●Repetitive peak off-state voltage: VDRM=200, 400, 600V  
External Dimensions  
5.0max  
(Unit: mm)  
10.4max  
2.1max  
●Average on-state current: IT(AV)=3A  
●Gate trigger current: IGT=10mA max  
±0.1  
φ
3.75  
a
b
±0.15  
1.35  
+0.2  
–0.1  
0.65  
±0.2  
±0.1  
±0.1  
1.7  
2.5  
2.5  
(1). Cathode(K)  
(2). Anode(A)  
(3). Gate(G)  
a. Part Number  
b. Lot Number  
(1) (2) (3)  
Weight: Approx. 2.6g  
■Absolute Maximum Ratings  
Ratings  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Conditions  
TF321M TF341M TF361M  
Repetitive peak off-state voltage  
Repetitive peak reverse voltage  
Non-repetitive peak off-state voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
Average on-state current  
RMS on-state current  
VDRM  
VRRM  
VDSM  
VRSM  
IT(AV)  
IT(RMS)  
ITSM  
200  
200  
300  
300  
400  
600  
600  
700  
700  
V
V
400  
Tj=–40 to +125°C, RGK=1kΩ  
500  
V
500  
V
3.0  
A
50Hz Half-cycle sinewave, Continuous current, Tc=102°C  
50Hz Half-cycle sinewave, Single shot, Non-repetitive, Tj=125°C  
4.7  
A
Surge on-state current  
60  
A
Peak forward gate current  
Peak forward gate voltage  
Peak reverse gate voltage  
Peak gate power loss  
IFGM  
2.0  
10  
A
f
50Hz, duty 10%  
VFGM  
VRGM  
PGM  
V
5.0  
V
f
f
50Hz  
5.0  
W
W
°C  
°C  
50Hz, duty 10%  
Average gate power loss  
Junction temperature  
PG(AV)  
Tj  
0.5  
–40 to +125  
–40 to +125  
Storage temperature  
Tstg  
■Electrical Characteristics  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
max  
2.0  
2.0  
1.4  
1.5  
10  
Off-state current  
mA  
mA  
V
IDRM  
IRRM  
VTM  
VGT  
IGT  
Tj=125°C, VD=VDRM(VRRM), RGK=1kΩ  
TC=25°C, ITM=5A  
Reverse current  
On-state voltage  
Gate trigger voltage  
Gate trigger current  
Gate non-trigger voltage  
Holding current  
V
VD=6V, RL=10Ω, TC=25°C  
2.0  
mA  
V
VGD  
IH  
0.1  
VD=1/2×VDRM, Tj=125°C, RGK=1kΩ  
RGK=1kΩ, Tj=25°C  
4.0  
50  
30  
mA  
V/µS  
µS  
Critical rate-of-rise of off-state voltage  
Turn-off time  
dv/dt  
tq  
VD=1/2×VDRM, Tj=125°C, RGK=1kΩ, CGK=0.033µF  
Tc=25°C  
Thermal resistance  
Rth  
3.0  
°C/W  
Junction to case  
6
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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