TF341M-A

更新时间： 2024-02-13 14:28:36

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三垦 - SANKEN		栅极触发装置可控硅整流器局域网
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TO-220 3A High sensitive Thyristor

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TF341M-A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.89
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
标称电路换相断开时间：	30 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	50 V/us	最大直流栅极触发电流：	15 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
最大漏电流：	2 mA	通态非重复峰值电流：	60 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	3000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	4.71 A	断态重复峰值电压：	400 V
重复峰值反向电压：	400 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

TF341M-A 数据手册

TO-220 3A High sensitive Thyristor

TF321M-A, TF341M-A, TF361M-A

■Features

●Repetitive peak off-state voltage: V_DRM=200, 400, 600V

External Dimensions

5.0max

(Unit: mm)

10.4max

2.1max

●Average on-state current: I_T(AV)=3A

●High sensitive Gate trigger Current: I_GT=0.1mA max

±0.1

3.75

±0.15

1.35

+0.2

–0.1

0.65

±0.2

±0.1

1.7

2.5

(1). Cathode(K)

(2). Anode(A)

(3). Gate(G)

a. Part Number

b. Lot Number

(1) (2) (3)

Weight: Approx. 2.6g

■Absolute Maximum Ratings

Ratings

Parameter

Symbol

Unit

Conditions

TF321M-A TF341M-A TF361M-A

Repetitive peak off-state voltage

Repetitive peak reverse voltage

Non-repetitive peak off-state voltage

Non-repetitive peak reverse voltage

Average on-state current

RMS on-state current

V_DRM

V_RRM

V_DSM

V_RSM

I_T(AV)

I_T(RMS)

I_TSM

200

300

400

600

700

400

Tj=–40 to +125°C, R_GK=1kΩ

500

3.0

50Hz Half-cycle sinewave, Continuous current, Tc=87°C

50Hz Half-cycle sinewave, Single shot, Non-repetitive, Tj=125°C

4.7

Surge on-state current

Peak forward gate current

Peak forward gate voltage

Peak reverse gate voltage

Peak gate power loss

I_FGM

2.0

50Hz, duty 10%

V_FGM

V_RGM

P_GM

5.0

50Hz

5.0

°C

50Hz, duty 10%

Average gate power loss

Junction temperature

P_G(AV)

0.5

–40 to +110

–40 to +125

Storage temperature

Tstg

■Electrical Characteristics

Ratings

typ

Parameter

Symbol

Unit

Conditions

min

max

1.0

1.4

Off-state current

I_DRM

I_RRM

V_TM

V_GT

I_GT

Tj=125°C, V_D=V_DRM(V_RRM), R_GK=1kΩ

T_C=25°C, I_TM=5A

Reverse current

On-state voltage

Gate trigger voltage

Gate trigger current

Gate non-trigger voltage

Holding current

V_D=6V, R_L=10Ω, T_C=25°C

0.1

V_GD

I_H

0.1

V_D=1/2×V_DRM, Tj=125°C, R_GK=1kΩ

R_GK=1kΩ, Tj=25°C

1.0

V/µS

µS

Critical rate-of-rise of off-state voltage

Turn-off time

dv/dt

V_D=1/2×V_DRM, Tj=125°C, R_GK=1kΩ, C_GK=0.033µF

Tc=25°C

Junction to case

Thermal resistance

Rth

3.0

°C/W

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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