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TEMT1020

更新时间： 2024-01-21 17:08:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体光电晶体管光电晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 356K
描述
Silicon Phototransistor

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TEMT1020 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.65
Is Samacsys：N最大暗电源：200 nA
安装特点：SURFACE MOUNT最大通态电流：0.05 A
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
峰值波长：950 nm最大功率耗散：0.1 W
最长响应时间：0.000002 s子类别：Photo Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

TEMT1020 数据手册

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TEMT1000 / 1020 / 1030 / 1040  
Vishay Semiconductors  
Silicon Phototransistor  
TEMT1000  
TEMT1020  
TEMT1040  
Description  
TEMT1000 series are high speed and high sensitive  
silicon NPN epitaxial planar phototransistors in SMD  
package with dome lens. Due to integrated Daylight  
filter devices are sensitive for IR radiation only.  
TEMT1030  
Features  
• High photo sensitivity  
• Fast response times  
• Angle of half sensitivity ϕ = 15ꢀ  
16757  
• Daylight filter matched to IR Emitters  
Applications  
Detector in electronic control and drive circuits  
(λ = 870 nm to 950 nm)  
• Versatile terminal configurations  
• Matched IR Emitter series: TSML1000  
• Lead-free component  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
IR Detector for Daylight application  
Photo interrupters  
Counter  
Encoder  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 ꢀC, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
VECO  
Value  
5
Unit  
V
Emitter Collector Voltage  
Collector current  
IC  
ICM  
Ptot  
Tj  
50  
100  
mA  
mA  
mW  
ꢀC  
Collector peak current  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Operating Temperature Range  
Soldering Temperature  
tp/T = 0.5, tp ≤ 10 ms  
Tamb ≤ 55 ꢀC  
100  
100  
Tstg  
Tamb  
Tsd  
- 40 to + 100  
- 40 to + 85  
< 260  
ꢀC  
ꢀC  
t ≤ 5 s  
ꢀC  
Thermal Resistance Junction/  
Ambient  
RthJA  
400  
K/W  
Basic Characteristics  
Tamb = 25 ꢀC, unless otherwise specified  
Tamb = 25 ꢀC, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
VCEO  
ICEO  
Min  
70  
Typ.  
Max  
200  
Unit  
V
Collector Emitter Voltage  
IC = 1 mA  
Collector-emitter dark current  
Collector-emitter capacitance  
V
V
CE = 20 V, E = 0  
CE = 5 V, f = 1 MHz, E = 0  
1
3
nA  
pF  
CCEO  
Angle of Half Sensitivity  
ϕ
15  
deg  
nm  
Wavelength of Peak Sensitivity  
λp  
950  
Document Number 81554  
Rev. 1.5, 08-Mar-05  
www.vishay.com  
1
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