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TEMT7000X01

更新时间： 2024-02-01 08:01:56
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威世 - VISHAY 晶体光电晶体管光电晶体管
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7页 132K
描述
Silicon Phototransistor in 0805 Package

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TEMT7000X01 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.40.70.80
风险等级：1.46其他特性：HIGH SENSITIVITY
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：20 V配置：SINGLE
最大暗电源：100 nA红外线范围：YES
标称光电流：0.45 mA安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1最大通态电流：0.02 A
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-40 °C
光电设备类型：PHOTO TRANSISTOR峰值波长：850 nm
最大功率耗散：0.1 W形状：RECTANGULAR
尺寸：2 mm子类别：Photo Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

TEMT7000X01 数据手册

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TEMT7000X01  
Vishay Semiconductors  
Silicon Phototransistor in 0805 Package  
FEATURES  
• Package type: surface mount  
• Package form: 0805  
• Dimensions (L x W x H in mm): 2 x 1.25 x 0.85  
• AEC-Q101 qualified  
• High photo sensitivity  
• High radiant sensitivity  
• Suitable for visible and near infrared radiation  
• Fast response times  
• Angle of half sensitivity: = 60ꢀ  
• Package matched with IR emitter series VSMB1940X01  
• Floor life: 168 h, MSL 3, acc. J-STD-020  
• Lead (Pb)-free reflow soldering  
20043  
DESCRIPTION  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
TEMT7000X01 is a high speed silicon NPN epitaxial planar  
phototransistor in a miniature 0805 package for surface  
mounting on printed boards. The device is sensitive to  
visible and near infrared radiation.  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
APPLICATIONS  
• Detector in automotive applications  
• Light sensors  
• Radiation sensors  
PRODUCT SUMMARY  
COMPONENT  
IcaE ( A)  
(deg)  
0.1 (nm)  
TEMT7000X01  
225 to 675  
60  
470 to 1090  
Note  
•
Test condition see table “Basic Characteristics”  
ORDERING INFORMATION  
ORDERING CODE  
PACKAGING  
Tape and reel  
REMARKS  
PACKAGE FORM  
TEMT7000X01  
MOQ: 3000 pcs, 3000 pcs/reel  
0805  
Note  
MOQ: minimum order quantity  
•
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 ꢀC, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VCEO  
VECO  
IC  
VALUE  
UNIT  
Collector emitter voltage  
Emitter collector voltage  
Collector current  
20  
V
V
7
20  
mA  
mW  
ꢀC  
Power power dissipation  
Junction temperature  
Tamb 55 ꢀC  
PV  
100  
Tj  
100  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
Soldering temperature  
Thermal resistance junction/ambient  
Tamb  
Tstg  
- 40 to + 100  
- 40 to + 100  
260  
ꢀC  
ꢀC  
Acc. reflow profile fig. 8  
Acc. J-STD-051  
Tsd  
ꢀC  
RthJA  
270  
K/W  
Document Number: 81961  
Rev. 1.1, 21-Feb-11  
For technical questions, contact: detectortechsupport@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TEMT7100ITX01 VISHAY

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 		Silicon Phototransistor in 0805 Package
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